收藏本站
US6U37
Transistors
Electrical characteristics curves
1000
Ta=25 ° C
f=1MHz
V GS =0V
Ciss
1000
tf
Ta=25 ° C
V DD =15V
V GS =4.5V
R G =10 ?
Pulsed
6
Ta=25 ° C
V DD =15V
5 I D =1.5A
R G =10 ?
Pulsed
100
Coss
Crss
100
td(off)
4
3
10
1
10
1
td(on)
tr
2
1
0
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
0
0.5
1
1.5
2
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS (V)
Fig.1 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.2 Switching Characteristics
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.3 Dynamic Input Characteristics
10
1
0.1
0.01
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V DS =10V
Pulsed
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
I D =0.75A
I D =1.5A
Ta=25 ° C
Pulsed
10
1
0.1
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V GS =0V
Pulsed
0.2
0.1
0.001
0
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.0
0.5
1.0
1.5
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.4 Typical Transfer Characteristics
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.5 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate source Voltage
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)
Fig.6 Source Current vs.
Source-Drain Voltage
10
V GS =4.5V
10
V GS =4.0V
10
V GS =2.5V
Pulsed
Pulsed
Pulsed
1
Ta=125 ° C
1
Ta=125 ° C
1
Ta=125 ° C
75 ° C
0.1
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
0.1
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
0.1
25 ° C
? 25 ° C
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.7 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( Ι )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.8 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙ )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.9 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙΙ )
3/4
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
USP3021RA THERMISTOR NTC 10K OHM 1% PROBE
USP3986RC THERMISTOR NTC 100K OHM 1% PROBE
USUG1000-103GRB THERMISTOR NTC 10K 2% DO-35 UL
USUR1000-104G-06 THERMSTR NTC 100K 2% RING LUG UL
V23836-C18-C63 TXRX OPT 1X9 155MB/S 1310NM
V600-CHUD 1.9M V600 WAND W/1.9M USB CBL
VBH40-05B MODULE MOSFET H-BRIDGE V2
VBP104FASR PHOTODIODE PIN HI SPEED HI SENS
相关代理商/技术参数
US6X3 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Low frequency amplifier
US6X3_1 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Low frequency amplifier (12V, 3A)
US6X3TR 功能描述:两极晶体管 - BJT BIPOLAR NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
US6X4 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Low frequency amplifier (30V, 2A)
US6X4_1 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Low frequency amplifier (30V, 2A)
US6X4TR 功能描述:两极晶体管 - BJT BIPOLAR NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
US6X5 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Low frequency amplifier (12V, 2A)
US6X5_1 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Low frequency amplifier (12V, 2A)